Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 81 A 170 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

2,64 €

(ohne MwSt.)

3,14 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 49 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 45 Einheit(en) mit Versand ab 28. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 92,64 €
10 - 242,51 €
25 - 492,40 €
50 - 992,30 €
100 +2,14 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
541-1253
Herst. Teile-Nr.:
IRFP054NPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

81A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

130nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.3mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 81A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 170W maximale Verlustleistung - IRFP054NPBF


Dieser MOSFET bietet eine robuste Lösung für Hochgeschwindigkeitsleistung und effizientes Power-Management. Durch seine N-Kanal-Konfiguration gewährleistet der Baustein einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen elektronischen Schaltungen. Mit einem Dauerstrom von bis zu 81 A und einer Nennspannung von 55 V ist er eine gute Wahl für Fachleute aus den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Mechanik.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 81 A unterstützt Hochleistungsanwendungen

• Niedriger Einschaltwiderstand von 12 mΩ trägt zu einer verbesserten Effizienz bei

• Breiter Gate-Schwellenspannungsbereich ermöglicht vielseitige Schaltungsdesigns

• Die hohe Verlustleistung von 170 W gewährleistet einen lang anhaltenden Betrieb

• Kompaktes TO-247AC-Gehäuse vereinfacht die Installation

Anwendungsbereich


• Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Motorsteuerungssystemen

• Integriert in Stromversorgungs- und Verstärkerschaltungen

• Anwendbar in erneuerbaren Energiesystemen für effizientes Schalten

• Geeignet für die Automobilindustrie, zur Verbesserung der Widerstandsfähigkeit

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung dieses Geräts?


Die maximale Verlustleistung liegt bei 170 W, so dass er auch große Lasten effektiv bewältigen kann.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?


Die Gate-Schwellenspannung reicht von 2V bis 4V, was die Kompatibilität mit verschiedenen Schaltungsdesigns ermöglicht und einen effizienten Betrieb innerhalb der vorgegebenen Parameter gewährleistet.

Kann dieser MOSFET in Hochtemperaturumgebungen eingesetzt werden?


Ja, er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für schwierige thermische Bedingungen geeignet.

Welche Vorteile bietet die Verwendung eines niedrigen RDS(on)?


Ein niedriger RDS(on) von 12mΩ reduziert die Wärmeentwicklung und erhöht die Effizienz, was für Hochleistungsanwendungen entscheidend ist.

Lässt es sich leicht in bestehende elektronische Systeme einbauen?


Der TO-247AC-Gehäusetyp ist für die Durchsteckmontage ausgelegt und lässt sich daher problemlos in verschiedenen Anwendungen installieren.

Verwandte Links