Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-262

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RS Best.-Nr.:
214-4447
Herst. Teile-Nr.:
IRF3205ZLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte sich wiederholende Lawinengefahr

Er ist bleifrei

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