Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 49 A TO-262

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RS Best.-Nr.:
258-3987
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ44NSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

49A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-262

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET von International Rectifier bietet fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Silizium-Fläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerät, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

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