Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 49 A TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 258-3987
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
416,80 €
(ohne MwSt.)
496,00 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 800 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 31. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,521 € | 416,80 € |
| 1600 - 1600 | 0,495 € | 396,00 € |
| 2400 + | 0,474 € | 379,20 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3987
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET von International Rectifier bietet fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Silizium-Fläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerät, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 49 A TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 72 A 375 W TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 330 W TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-262