Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 330 W TO-262

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RS Best.-Nr.:
257-9280
Herst. Teile-Nr.:
IRF2804STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

270A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Durchgangsbohrungs-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

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