Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 24 V / 382 A 300 W, 3-Pin AUIRF1324WL TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 260-5055
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1324WL
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 382A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 24V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.67 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 9.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 382A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 24V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.67 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 9.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon Widelead HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Er verfügt über eine Betriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawinenbelastbarkeit.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelles Schalten
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
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