Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 72 A 375 W IRFS4127TRLPBF TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 257-5836
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4127TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
6,62 €
(ohne MwSt.)
7,88 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 06. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,31 € | 6,62 € |
| 20 - 48 | 2,945 € | 5,89 € |
| 50 - 98 | 2,78 € | 5,56 € |
| 100 - 198 | 2,58 € | 5,16 € |
| 200 + | 2,39 € | 4,78 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5836
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4127TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18.6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.
Verbesserte Body-Diode dV/dt und dI/dt Fähigkeit
Bleifrei
Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 72 A 375 W TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFSL4127PBF TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 49 A TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 49 A IRFZ44NSTRLPBF TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 330 W TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 330 W IRF2804STRLPBF TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 195 A 375 W TO-263