Infineon HEXFET IRF3205STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-5890
Herst. Teile-Nr.:: IRF3205STRLPBF
Marke:: Infineon

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Infineon HEXFET IRF3205STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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800 - 800	0,738 €	590,40 €
1600 +	0,701 €	560,80 €

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RS Best.-Nr.:: 165-5890
Herst. Teile-Nr.:: IRF3205STRLPBF
Marke:: Infineon

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	110 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	200 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.65mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	146 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.83mm

Infineon HEXFET IRF3205STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

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