Infineon HEXFET IRL2910STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-5599
Herst. Teile-Nr.:: IRL2910STRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRL2910STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 165-5599
Herst. Teile-Nr.:: IRL2910STRLPBF
Marke:: Infineon

IRL2910S/LPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	55 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	40 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	200 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.65mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	140 nC @ 5 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.83mm

Infineon HEXFET IRL2910STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

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