Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 29 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 262-6784
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-681
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ34NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
14,40 €
(ohne MwSt.)
17,10 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,44 € | 14,40 € |
| 100 - 240 | 1,37 € | 13,70 € |
| 250 - 490 | 1,34 € | 13,40 € |
| 500 - 990 | 1,253 € | 12,53 € |
| 1000 + | 1,165 € | 11,65 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 262-6784
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-681
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ34NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.075Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.075Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über Merkmale wie eine Betriebstemperatur von 175 °C und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Vollständig lawinenbeständig
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263