Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 29 A 68 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

0,81 €

(ohne MwSt.)

0,96 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 361 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 265 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 240,81 €
25 - 490,72 €
50 - 990,66 €
100 - 2490,61 €
250 +0,58 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
540-9761
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-382
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ34NPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.54mm

Breite

4.4 mm

Höhe

8.77mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 29A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 68W maximale Verlustleistung - IRFZ34NPBF


Dieser MOSFET ist auf fortschrittliche elektronische Anwendungen zugeschnitten, insbesondere dort, wo ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. Seine N-Kanal-Konfiguration ermöglicht ein effizientes Schalten und Modulieren elektrischer Ströme in Stromsystemen. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 29 A ist dieses Bauteil entscheidend für Hochleistungsdesigns in der Automatisierungs- und Elektrobranche.

Eigenschaften und Vorteile


• Ultra-niedriger Einschaltwiderstand für minimalen Leistungsverlust

• Maximale Verlustleistung von 68 W für robuste Funktionalität

• Hohe Temperaturtoleranz von bis zu 175°C gewährleistet langfristige Leistung

• Kompatibel mit Durchgangslochmontage für einfache Integration

• Dynamischer dv/dt-Wert ermöglicht schnelle Schaltanwendungen

• Enhancement-Mode-Transistor verbessert den Wirkungsgrad des Geräts

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromversorgungskonzepten für ein effektives Energiemanagement

• Eingesetzt in der Motorsteuerung für genaue Geschwindigkeitsregelung

• Geeignet für diskretes Schalten in der Unterhaltungselektronik

• Angewandt in der industriellen Automatisierung zur Verbesserung der Systemzuverlässigkeit

• Geeignet für die Automobilindustrie die eine hohe Belastbarkeit erfordern

Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Drainstrom bei 100°C?


Bei 100°C beträgt der kontinuierliche Drain-Strom 20A, was die Zuverlässigkeit unter Hochtemperaturbedingungen gewährleistet.

Wie wirkt sich der niedrige Durchlasswiderstand auf die Effizienz der Schaltung aus?


Ein niedriger RDS(on) verringert die Leistungsverluste während des Betriebs, was die Gesamteffizienz der Schaltung erhöht und die Wärmeentwicklung minimiert.

Kann es für parallele Konfigurationen verwendet werden?


Ja, das Design ermöglicht eine einfache Parallelisierung und verbessert die Stromverarbeitung für Hochleistungsanwendungen.

Welche Auswirkungen hat die maximale Gate-Source-Spannung?


Die maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V gewährleistet einen sicheren Betrieb und schützt vor Schäden bei Standard-Schaltvorgängen.

Welchen Einfluss hat die Temperatur auf die Leistung?


Mit einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C bleibt er auch unter extremen Bedingungen funktionsfähig und eignet sich somit für eine Vielzahl von Anwendungen.

Verwandte Links