Infineon HEXFET IRL3705ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 86 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 915-5073
Herst. Teile-Nr.:: IRL3705ZSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRL3705ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 86 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 915-5073
Herst. Teile-Nr.:: IRL3705ZSTRLPBF
Marke:: Infineon

IRL3705ZSPbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	86 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	12 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	130 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	40 nC @ 5 V
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	11.3mm
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

Infineon HEXFET IRL3705ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 86 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

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