Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 86 A 130 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-8219
Herst. Teile-Nr.:
IRL3705ZSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Breite

11.3 mm

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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