Infineon HEXFET IRL3705ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 86 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-8219
Herst. Teile-Nr.:: IRL3705ZSTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRL3705ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 86 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

696 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)

0,926 €

(ohne MwSt.)

1,102 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 +	0,926 €	740,80 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 165-8219
Herst. Teile-Nr.:: IRL3705ZSTRLPBF
Marke:: Infineon

IRL3705ZSPbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	86 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	12 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	130 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–16 V, +16 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.67mm
Breite	11.3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	40 nC @ 5 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRL3705ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 86 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

Verwandte Produkte