Infineon IRFR5305PBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Der Infineon IRFR5305 ist der 55-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem D-Pak-Gehäuse. Das D-Pak wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.

Advanced Prozesstechnologie
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft
Ohne Leitung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.