Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 915-5112
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-481
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 11.3mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 11.3mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 68W maximale Verlustleistung - IRLZ34NSTRLPBF
Dieser leistungsstarke N-Kanal-MOSFET ermöglicht effizientes Schalten und Verstärken in verschiedenen elektrischen Anwendungen. Mit einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von 30 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V eignet er sich für Anwendungen in der Automobil-, Industrie- und Unterhaltungselektronik. Sein oberflächenmontierbares Design vereinfacht die Integration in moderne Leiterplatten und macht ihn zu einer Schlüsselkomponente für effektives Power Management.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedrige Gate-Schwellenspannung für erhöhte Schaltgeschwindigkeit
• Niedriger RDS(on) für effiziente Verlustleistung
• Hohe thermische Beständigkeit ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen
• Maximale Verlustleistung von 68 W trägt zur Langlebigkeit bei
• Oberflächenmontagetechnologie unterstützt kompakte Designs
• Effizienter Antrieb mit hoher Gate-Ladung bei 5 V
Anwendungsbereich
• Stromversorgungsschaltungen für eine effektive Spannungsregelung
• Motorsteuerung die ein schnelles Umschalten erfordern
• DC-DC-Wandler für verbesserte Effizienz
• Präzisionsinstrumente für verlässliche Leistung
• Automobilindustrie mit hohen Anforderungen an die Zuverlässigkeit
Wie hoch ist der maximale Dauerstrom, den dieses Bauteil verarbeiten kann?
Der Baustein kann einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 30 A verarbeiten.
Wie wird die thermische Leistung dieses MOSFETs gesteuert?
Er arbeitet bei einer Höchsttemperatur von +175 °C und ist damit auch in Hochtemperaturumgebungen zuverlässig.
Kann es im Automobilbereich eingesetzt werden?
Ja, durch seine robuste Bauweise und hohe Temperaturtoleranz eignet er sich für verschiedene Schaltkreise im Automobilbereich.
Welche Art von Schaltungskonfigurationen kann er unterstützen?
Der MOSFET unterstützt Transistorkonfigurationen im Anreicherungsmodus, die sich ideal für Schaltanwendungen eignen.
Ist sie mit oberflächenmontierten Schaltkreisen kompatibel?
Ja, der Gehäusetyp D2PAK (TO-263) ermöglicht eine einfache Integration in oberflächenmontierte Anwendungen und erleichtert die einfache Platzierung auf Leiterplatten.