Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 86 A 79 W, 3-Pin IRFR3709ZTRLPBF TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-7496
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3709ZTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3709ZTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 86A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Breite | 2.39 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.22mm | ||
Breite 2.39 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Infineon wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.
Branchenführende Qualität
Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGS
Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben
Besonders niedrige Gate-Impedanz
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