Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 110 V / 16 A 79 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
222-4752
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3910TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

110V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Breite

2.39 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Dynamische dv/dt-Bewertung

Fast Switching

Voll-Avalanche-Bewertung

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