Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 688-6800
Herst. Teile-Nr.:: IRF1018EPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 688-6800
Herst. Teile-Nr.:: IRF1018EPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	79A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	110W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	46nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.83 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	9.02mm
	Länge	10.67mm
	Distrelec Product Id	304-43-449
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 79A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 110W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.83 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 9.02mm
	Länge 10.67mm
	Distrelec Product Id 304-43-449
	Automobilstandard Nein

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