Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 688-6800
Herst. Teile-Nr.:: IRF1018EPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220AB

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5 - 45	1,078 €	5,39 €
50 - 120	0,992 €	4,96 €
125 - 245	0,928 €	4,64 €
250 - 495	0,864 €	4,32 €
500 +	0,798 €	3,99 €

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RS Best.-Nr.:: 688-6800
Herst. Teile-Nr.:: IRF1018EPBF
Marke:: Infineon

MOSFET N-ch HEXFET 60V 79A Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	79 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.83mm
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	46 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	9.02mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220AB

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