Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 63 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-9451
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-552
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3110ZTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
8,64 €
(ohne MwSt.)
10,28 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 4.905 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,728 € | 8,64 € |
| 50 - 120 | 1,628 € | 8,14 € |
| 125 - 245 | 1,52 € | 7,60 € |
| 250 - 495 | 1,416 € | 7,08 € |
| 500 + | 0,866 € | 4,33 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9451
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-552
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3110ZTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IRLR-Serie ist das 100-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Logikpegel ist für 10-V-Gate-Antriebsspannung optimiert, geeignet für 4,5-V-Gate-Antriebsspannung
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellenförmig gelötet werden
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 63 A TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 100 A 63 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 17 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 89 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 130 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 79 A TO-252