Infineon HEXFET IRF40R207 N-Kanal, THT MOSFET 2,2 V / 90 A DPAK

RS Best.-Nr.:: 257-9288
Herst. Teile-Nr.:: IRF40R207
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF40R207 N-Kanal, THT MOSFET 2,2 V / 90 A DPAK

1960 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

0,614 €

(ohne MwSt.)

0,731 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	0,614 €	6,14 €
100 - 240	0,583 €	5,83 €
250 - 490	0,558 €	5,58 €
500 - 990	0,534 €	5,34 €
1000 +	0,307 €	3,07 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 257-9288
Herst. Teile-Nr.:: IRF40R207
Marke:: Infineon

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Datasheet - IRF40R207

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem DPAK-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	90 A
Drain-Source-Spannung max.	2,2 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK
Montage-Typ	THT

Infineon HEXFET IRF40R207 N-Kanal, THT MOSFET 2,2 V / 90 A DPAK

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