Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 2.2 V / 90 A TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

544,00 €

(ohne MwSt.)

648,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 06. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 - 20000,272 €544,00 €
4000 +0,258 €516,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-9287
Herst. Teile-Nr.:
IRF40R207
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

2.2V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem DPAK-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Verwandte Links