Infineon HEXFET IRFR4510TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 915-5011
Herst. Teile-Nr.:: IRFR4510TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFR4510TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 915-5011
Herst. Teile-Nr.:: IRFR4510TRPBF
Marke:: Infineon

IRFR4510PbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	63 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	13,9 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	143 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	7.49mm
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	54 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.39mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V

Infineon HEXFET IRFR4510TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 63 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

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