Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A 143 W, 3-Pin IRFR4510TRPBF TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 915-5011
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4510TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 915-5011
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4510TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 143W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 7.49 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Distrelec Product Id | 304-44-463 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 143W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 7.49 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Distrelec Product Id 304-44-463 | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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