Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A 143 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
145-9568
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4510TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

143W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

7.49 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

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