Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 119 A 140 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
217-2623
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4104TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

119A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.5mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

89nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.39 mm

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand 1

75 °C Betriebstemperatur

Schnelles Schalten R

Wiederholte Lawinenbildung erlaubt bis zu Tjmax L.

EAD-frei

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