Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 119 A 140 W IRFR4104TRPBF TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

5,79 €

(ohne MwSt.)

6,89 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3.950 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +0,579 €5,79 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2625
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4104TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

119A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.5mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

89nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Breite

2.39 mm

Normen/Zulassungen

No

Distrelec Product Id

304-39-423

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand 1

75 °C Betriebstemperatur

Schnelles Schalten R

Wiederholte Lawinenbildung erlaubt bis zu Tjmax L.

EAD-frei

Verwandte Links