Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 161 A 140 W, 3-Pin IRLR7843TRPBF TO-252

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830-3382
Herst. Teile-Nr.:
IRLR7843TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

161A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 161A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRLR7843TRPBF


Dieser MOSFET ist auf Hochleistungsanwendungen im Elektro- und Elektronikbereich zugeschnitten und eignet sich besonders für den Automobil- und Industriebedarf. Seine HEXFET-Technologie sorgt für einen beeindruckenden Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit, wodurch er sich ideal für synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler und isolierte DC/DC-Wandler eignet. Das Gerät steuert effektiv die Verlustleistung und steigert so die Leistung elektronischer Systeme.

Eigenschaften und Vorteile


• Extrem niedriger RDS(on) optimiert Verlustleistung und Effizienz

• Hohe Dauerstrombelastbarkeit unterstützt intensive Anwendungen

• Konzipiert für hohe Betriebstemperaturen zur Gewährleistung der Leistung

• Bleifreie Konstruktion erfüllt umweltbewusste Designstandards

• Niedrige Gate-Ladung verbessert Schaltverhalten in Schaltungen

Anwendungsbereich


• Einsatz in synchronen Hochfrequenz-Abwärtswandlern

• Eingesetzt in isolierten DC-DC-Wandlern für Telekommunikationssysteme

• Dient der Energieverwaltung in Kraftfahrzeugen

• Geeignet für industrielle Stromversorgungen, die einen höheren Wirkungsgrad erfordern

• Ideal für die Leistungsregelung in Computerprozessoren

Was sind die typischen thermischen Leistungsmerkmale?


Die maximale Betriebstemperatur beträgt +175°C mit einem Wärmewiderstand von 50°C/W von der Sperrschicht bis zur Umgebung, was eine effektive Leistung in thermischen Umgebungen gewährleistet.

Wie wirkt sich der niedrige RDS(on) auf das Gesamtdesign der Schaltung aus?


Ein niedriger RDS(on) reduziert die Leitungsverluste, was zu einem verbesserten Wirkungsgrad unter unterschiedlichen Lastbedingungen führt, was für Hochleistungsdesigns entscheidend ist.

Kann es Impulsströme effektiv verarbeiten?


Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 620 A aufnehmen, was die Betriebssicherheit bei dynamischen Lasten gewährleistet.

Welche Befestigungsmethoden sind mit dieser Komponente kompatibel?


Als oberflächenmontiertes Bauteil im DPAK-Gehäuse ist es für automatisierte Montageprozesse geeignet.

Ist es für den Einsatz im Automobilbereich geeignet?


Ja, seine Spezifikationen, einschließlich einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V, eignen sich für Kfz-Stromversorgungssysteme.

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