Infineon HEXFET IRFH6200TRPBF N-Kanal, THT MOSFET 20 V / 100 A PQFN 5 mm x 6 mm

RS Best.-Nr.:: 257-9376
Herst. Teile-Nr.:: IRFH6200TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFH6200TRPBF N-Kanal, THT MOSFET 20 V / 100 A PQFN 5 mm x 6 mm

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 4000)

0,828 €

(ohne MwSt.)

0,985 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
4000 +	0,828 €	3.312,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 257-9376
Herst. Teile-Nr.:: IRFH6200TRPBF
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - IRFH6200TRPBF

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 20-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breites Portfolio verfügbar

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	PQFN 5 mm x 6 mm
Montage-Typ	THT

Infineon HEXFET IRFH6200TRPBF N-Kanal, THT MOSFET 20 V / 100 A PQFN 5 mm x 6 mm

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Technische Daten

Verwandte Produkte