Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 117 A 78 W PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-9385
Distrelec-Artikelnummer:
304-40-530
Herst. Teile-Nr.:
IRFH7446TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

117A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6 mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

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