Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 9 V / 350 mA 360 mW, 5-Pin SOT-23-5

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RS Best.-Nr.:
598-794
Herst. Teile-Nr.:
LND250K1-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal-DMOS-FET

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

9V

Gehäusegröße

SOT-23-5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Entleerungsmodus

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Betriebstemperatur min.

-25°C

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Breite

1.75 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, ISO/TS‑16949

Länge

3.05mm

Höhe

1.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der Hochspannungs-N-Kanal-Erschöpfungsmodus-Transistor von Microchip (normalerweise eingeschaltet) mit seitlicher DMOS-Technologie. Das Gate ist ESD-geschützt. Der LND250 ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen normal eingeschaltete Schalter, Präzisions-Konstantstromquellen, Spannungsrampgenerierung und Verstärkung.

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringer Stromverbrauch

Einfache Parallelschaltung

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Quellen-Ablassdiode

Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS

ESD-Gattschutz

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