Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 9 V / 350 mA 360 mW, 5-Pin LND01K1-G

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RS Best.-Nr.:
598-897
Herst. Teile-Nr.:
LND01K1-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N-Kanal-DMOS-FET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

9V

Gehäusegröße

SOT-23-5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Entleerungsmodus

Betriebstemperatur min.

-25°C

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Durchlassspannung Vf

1.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

ISO/TS‑16949, RoHS

Höhe

1.3mm

Länge

3.05mm

Breite

1.75 mm

Automobilstandard

Nein

Der Microchip Depletion-Mode MOSFET ist ein niedriger Schwellenwert, Depletion-Mode-Transistor (normalerweise eingeschaltet), der eine fortschrittliche seitliche DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate nutzt. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist.

Geringer Widerstand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Geringer Stromverbrauch

Einfache Parallelschaltung

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