Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 500 V / 350 mA 2.5 W, 3-Pin DN3545N8-G
- RS Best.-Nr.:
- 598-869
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3545N8-G
- Marke:
- Microchip
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
2.502,00 €
(ohne MwSt.)
2.978,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,251 € | 2.502,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 598-869
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3545N8-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal-DMOS-FET | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Entleerungsmodus | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Länge | 4.4mm | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal-DMOS-FET | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-252 (D-PAK-3) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Entleerungsmodus | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Länge 4.4mm | ||
Höhe 2.29mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Depletion-Modus-Transistoren von Microchip verwenden eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination produziert Geräte mit den Leistungsummantelungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren und mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Geräten innewohnen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen sind diese Geräte frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
Verwandte Links
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN2535N5-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN3765K4-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN3145N8-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN2450N8-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN2530N8-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN2450K4-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 5-Pin LND250K1-G