Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 500 V / 350 mA 2.5 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
598-857
Herst. Teile-Nr.:
DN2540N3-G-P003
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal-DMOS-FET

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-252 (D-PAK-3)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Entleerungsmodus

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.29mm

Breite

3 mm

Normen/Zulassungen

ISO/TS‑16949, RoHS

Länge

4.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der Transistor mit niedrigem Schwellenwert für den Erschöpfungsmodus von Microchip nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist.

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

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