Microchip TP2104 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1

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RS Best.-Nr.:
598-851
Herst. Teile-Nr.:
TP2104N3-G-P003
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal vertikaler DMOS-FET

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

450mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TP2104

Gehäusegröße

TO-92-3 (TO-226AA)

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

5.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der vertikale N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor von Microchip nutzt eine vertikale doppelt diffusierte Metalloxid-Halbleiter-Struktur (DMOS) zusammen mit einem bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Diese Kombination sorgt dafür, dass das Gerät frei von sekundären Ausfällen ist und mit einem niedrigen Stromversorgungsbedarf arbeitet, was es effizient und zuverlässig für verschiedene Anwendungen macht.

Einfache Parallelschaltung

Geringer Stromverbrauch

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

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