ROHM RD3 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 53 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
646-544
Herst. Teile-Nr.:
RD3P04BBKHRBTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

RD3

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

53W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.50mm

Breite

6.8 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der P-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 100 Volt und 36 Ampere Leistung verfügt über eine bleifreie Beschichtung und erfüllt die Anforderungen an die Beschränkung gefährlicher Stoffe. Er ist zu hundert Prozent Avalanche-getestet

Geringer Durchlasswiderstand

AEC-Q101 qualifiziert

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