ROHM RD3G04BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 53 W, 3-Pin TO-252 (TL)

Der Leistungs-MOSFET von ROHM bietet eine außergewöhnliche Leistung, die speziell für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad entwickelt wurde. Dieses Bauteil verwaltet die Stromversorgung effektiv mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von -40 V und einer Dauerstromverarbeitung von ±40 A, wodurch es sich ideal für die Verwaltung elektrischer Lasten in verschiedenen Systemen eignet. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 24,0 mΩ sorgt für minimalen Energieverlust und fördert die Effizienz, während seine robusten thermischen Eigenschaften einen zuverlässigen Betrieb bis zu einer Anschlusstemperatur von 175 °C ermöglichen. Dieses Produkt ist nicht nur AEC-Q101-qualifiziert, sondern auch zu 100 % Avalanche-getestet, was eine zuverlässige Funktion in kritischen Umgebungen gewährleistet. Es ist die perfekte Wahl für Anwendungen in Automobilsystemen, Beleuchtung und industriellen Steuerungen.

Konstruktion mit niedrigem Einschaltwiderstand für geringeren Energieverlust