ROHM AG185FGD3HRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 96 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-438
- Herst. Teile-Nr.:
- AG185FGD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Serie | AG185FGD3HRB | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 10.50mm | |
| Breite | 6.80 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Serie AG185FGD3HRB | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 10.50mm | ||
Breite 6.80 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für Automobilanwendungen entwickelt. Dieses Gerät ist so konzipiert, dass es ein effizientes Schalten mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 40 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 80 A ermöglicht. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand aus, der einen minimalen Leistungsverlust während des Betriebs gewährleistet, was zu einem verbesserten Wärmemanagement und einer besseren Leistung in anspruchsvollen Umgebungen beiträgt. Mit einer Verlustleistung von 96 W eignet sich dieser MOSFET für verschiedene Anwendungen, die eine zuverlässige und robuste Leistung erfordern. Die bleifreie Beschichtung und die RoHS-Konformität unterstreichen das Engagement für eine umweltfreundliche Herstellung. Dieses Teil ist AEC-Q101-qualifiziert, was gewährleistet, dass es die strengen Automobilstandards für Zuverlässigkeit und Sicherheit erfüllt.
Niedriger Einschaltwiderstand von 3,2 mΩ maximiert den Wirkungsgrad und reduziert die Wärmeentwicklung
Ausgelegt für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 80 A, geeignet für robuste Anwendungen
Bietet eine hohe Verlustleistung von 96 W für anspruchsvolle Aufgaben
Entwickelt für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 40 V, die vielseitige Anwendungen gewährleistet
AEC Q101 qualifiziert, um hohe Zuverlässigkeit im Automobilbereich zu gewährleisten
Pb-freie Beschichtung und RoHS-Konformität spiegeln eine umweltbewusste Produktion wider
Geeignet für verschiedene Automobilsysteme, die die Systemleistung und Langlebigkeit verbessern
Kompaktes DPAK-Gehäuse für effiziente Platzausnutzung auf Leiterplatten
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