ROHM RD3L08DBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 76 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-458
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L08DBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08DBLHRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 76W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.8 mm | |
| Länge | 10.50mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08DBLHRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 76W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.8 mm | ||
Länge 10.50mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, die einen hohen Wirkungsgrad und eine robuste Leistung erfordern. Dieser 60-V-80-A-N-Kanal-MOSFET verfügt über einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und bietet eine hervorragende elektrische Leistung bei gleichzeitiger Gewährleistung der Zuverlässigkeit. Er ist für den optimalen Betrieb in verschiedenen Umgebungen ausgelegt und eignet sich daher ideal für Automobilanwendungen, einschließlich fortschrittlicher Fahrerassistenzsysteme (ADAS) und Beleuchtung. Durch die Einhaltung der AEC-Q101 und 100 % Avalanche-Tests gewährleistet dieses Bauteil hohe Standards für Sicherheit und Effizienz in jedem elektronischen Design. Die kompakte Verpackung ermöglicht eine einfache Integration in platzbeschränkte Layouts.
Geringer Widerstand von 7,6 mΩ, der die Effizienz der Leistungsübertragung verbessert
Ausgelegt für einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 80 A, der die Zuverlässigkeit bei erheblichen Lasten gewährleistet
Mit einer breiten Drain-Source-Spannung von 60 V, geeignet für verschiedene Hochspannungsanwendungen
Alle Produkte sind RoHS-konform und unterstützen umweltfreundliches Design
100 % Avalanche-getestet für erhöhte Zuverlässigkeit und Langlebigkeit der Komponenten
Entwickelt in einem DPAK TO-252-Gehäuse für die einfache Montage in kompakten Schaltungen
Bietet einen breiten Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C und gewährleistet Leistung unter extremen Bedingungen
Qualifiziert nach AEC Q101, ideal für Automobil- und Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit
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