ROHM RJ1 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 89 W, 3-Pin TO-263AB
- RS Best.-Nr.:
- 646-551
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1R04BBHTL1
- Marke:
- ROHM
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- RJ1R04BBHTL1
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263AB | |
| Serie | RJ1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.77mm | |
| Länge | 15.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263AB | ||
Serie RJ1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.77mm | ||
Länge 15.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 150 Volt und 40 Ampere Leistung zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand, ein Hochleistungsgehäuse des Typs TO 263AB, eine bleifreie Beschichtung und die Einhaltung der Beschränkungen für gefährliche Stoffe aus.
Halogenfrei
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