Vishay SIR4156LDP N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 25.7 A 43 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-191
Herst. Teile-Nr.:
SIR4156LDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SIR4156LDP

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.15mm

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.72mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für das hocheffiziente Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen entwickelt. Er unterstützt bis zu 100 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in PowerPAK SO-8, nutzt es TrenchFET Gen IV-Technologie, um niedrige RDS(on), schnelles Schalten und optimierte thermische Leistung zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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