ROHM SCT4036KWA N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 1200 V / 40 A 150 W, 8-Pin TO-263-7LA

Der N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt, die effiziente Schaltfunktionen erfordern. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 1200 V und einem typischen Widerstand im eingeschalteten Zustand von 36 mΩ eignet sich dieses Gerät hervorragend in anspruchsvollen Umgebungen wie Solarwechselrichtern und DC/DC-Wandlern. Sein robustes Design zeichnet sich durch einen hohen kontinuierlichen Ablassstrom von 40 A bei 25 °C aus, was die Vielseitigkeit in verschiedenen Anwendungen unterstützt. Das Gerät ist für schnelles Schalten optimiert und bietet eine erhöhte Effizienz. Darüber hinaus entspricht die Pb-freie Bleibeschichtung den RoHS-Normen und gewährleistet einen umweltfreundlichen Ansatz ohne Kompromisse bei der Leistung.

Geringer Widerstand für minimalen Leistungsverlust während des Betriebs