ROHM RD3N03BAT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 54 W, 3-Pin TO-252 (TL)

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687-384P
Herst. Teile-Nr.:
RD3N03BATTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ P

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-252 (TL)

Serie

RD3N03BAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

54W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Breite

6.8mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Länge

10.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
JP
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für einen effizienten Betrieb in einer Vielzahl von Anwendungen entwickelt, einschließlich Motorantrieben und Schaltkreisen. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von -80 V und einer kontinuierlichen Ablassstromkapazität von -30 A ist dieses Gerät für eine robuste Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen ausgelegt. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 56 mΩ sorgt für einen optimalen Wirkungsgrad und minimiert die Energieverluste während des Betriebs. Darüber hinaus ermöglicht das TO-252-Gehäuse eine einfache Integration in elektronische Designs und bietet Vielseitigkeit und Zuverlässigkeit in kompakten Formfaktoren. Der RD3N03BAT ist außerdem RoHS-konform und halogenfrei, was ihn zu einer geeigneten Wahl für umweltbewusste Designs macht.

Niedriger Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz und geringeres Wärmemanagement

Hohe Leistung in einem kompakten TO-252-Gehäuse für vielseitige Anwendungen

RoHS- und halogenfreie Konformität gewährleistet Umweltsicherheit für moderne Elektronik

Umfassende Tests, einschließlich Rg und UIS, garantieren zuverlässigen Betrieb und Leistung

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C unterstützt verschiedene Umgebungsbedingungen

Entwickelt mit zuverlässigen Avalanche-Energiewerten für erhöhte Sicherheit bei transienten Bedingungen

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