ROHM HT8MB5 Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V 13 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 687-388P
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8MB5TB1
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | HT8MB5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.4mm | |
| Länge | 3.45mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie HT8MB5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.4mm | ||
Länge 3.45mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen wie Motorantriebe und Schaltnetzteile entwickelt. Dieses Bauteil zeichnet sich durch einen außergewöhnlich niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand aus und ist damit ideal für Power-Management-Lösungen, bei denen die Effizienz an erster Stelle steht. Der HT8MB5 ist in einem kompakten HSMT8-Gehäuse untergebracht, das platzsparende Designs bei gleichzeitig hoher Leistung ermöglicht. Mit seinen beeindruckenden Höchstwerten und seinem robusten Design bietet dieser MOSFET einen zuverlässigen Betrieb unter wechselnden Umgebungsbedingungen und gewährleistet Stabilität und Langlebigkeit im Betrieb.
Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz und das Wärmemanagement
Kompaktes HSMT8-Gehäuse ermöglicht einen geringeren Platzbedarf in Designs
Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von 40 V gewährleistet vielseitige Anwendungen
Die Verlustleistung von 13 W unterstützt Anwendungen mit hoher Leistung
Pb-freie Beschichtung zusammen mit RoHS-Konformität zeigt Umweltfreundlichkeit
Halogenfreie Materialien fördern die Sicherheit in elektronischen Anwendungen
100 % auf Rg und UIS getestet, was Zuverlässigkeit und Leistung garantiert
Geeignet für Schalt- und Motorantriebsanwendungen, was die Benutzerfreundlichkeit erhöht
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