Infineon OptiMOS 6 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 200 V / 75 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 690-440
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB175N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPB175N20NM6ATMA1
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- Infineon
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | OptiMOS 6 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.50mm | |
| Normen/Zulassungen | ISO 128-30, RoHS | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie OptiMOS 6 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.50mm | ||
Normen/Zulassungen ISO 128-30, RoHS | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
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