Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-9009
Herst. Teile-Nr.:
IPB024N10N5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 5 100-V-Leistungs-MOSFET wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterie sowie für Servernetzteilanwendungen entwickelt. Das Gerät hat einen niedrigeren RDS(on) von 22 % im Vergleich zu ähnlichen Geräten, einer der größten Mitwirkenden an diesem branchenführenden FOM ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand, der ein Höchstmaß an Leistungsdichte und Effizienz bietet.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

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