Infineon OptiMOS™ 3 IPB036N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

RS Best.-Nr.:: 754-5428
Herst. Teile-Nr.:: IPB036N12N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPB036N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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RS Best.-Nr.:: 754-5428
Herst. Teile-Nr.:: IPB036N12N3GATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	120 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	D2PAK-7
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	3,6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.45mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	158 nC @ 10 V
Höhe	4.57mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon OptiMOS™ 3 IPB036N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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