Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 180 A 300 W, 7-Pin TO-263

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754-5428
Herst. Teile-Nr.:
IPB036N12N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

158nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.57mm

Länge

10.31mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.45 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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