Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

RS Best.-Nr.:: 906-4353
Herst. Teile-Nr.:: IPB010N06NATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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2 - 18	6,74 €	13,48 €
20 - 98	5,75 €	11,50 €
100 - 198	4,98 €	9,96 €
200 - 498	4,715 €	9,43 €
500 +	4,215 €	8,43 €

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RS Best.-Nr.:: 906-4353
Herst. Teile-Nr.:: IPB010N06NATMA1
Marke:: Infineon

IPB010N06N OptiMOS 3 Power Transistor
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	OptiMOS™ 5
Gehäusegröße	D2PAK-7
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	1,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4.57mm
Länge	10.31mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	208 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	4.2V
Höhe	9.45mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOSTM5

Zusammenfassung der Merkmale

Vorteile

Anwendungsmöglichkeiten

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