Infineon OptiMOS™ 3 IPB019N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 180 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 220-7376
Herst. Teile-Nr.:: IPB019N08N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPB019N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 180 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	5,00 €	10,00 €
20 - 48	4,70 €	9,40 €
50 - 98	4,40 €	8,80 €
100 - 198	4,10 €	8,20 €
200 +	3,80 €	7,60 €

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RS Best.-Nr.:: 220-7376
Herst. Teile-Nr.:: IPB019N08N3GATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet - IPB019N08N3GATMA1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,0019 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon OptiMOS™ 3 IPB019N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 180 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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