Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 180 A, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

7,08 €

(ohne MwSt.)

8,42 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Auf Lager
  • 934 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 183,54 €7,08 €
20 - 483,33 €6,66 €
50 - 983,12 €6,24 €
100 - 1982,905 €5,81 €
200 +2,69 €5,38 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7376
Herst. Teile-Nr.:
IPB019N08N3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug).

Optimierte Technik für DC-DC-Wandler

Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)

Überlegener Wärmewiderstand

Beidseitige Kühlung

Geringe parasitäre Induktivität

Flache Bauweise (<0,7 mm)

N-Kanal, normale

Verwandte Links

Recently viewed