Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 180 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7376
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB019N08N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug).
Optimierte Technik für DC-DC-Wandler
Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)
Überlegener Wärmewiderstand
Beidseitige Kühlung
Geringe parasitäre Induktivität
Flache Bauweise (<0,7 mm)
N-Kanal, normale
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