Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A 250 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 898-6918
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB011N04NGATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 188nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.45mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 188nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.45mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 180 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 250 W maximale Verlustleistung - IPB011N04NGATMA1
Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen im elektrischen und mechanischen Bereich optimiert. Er zeichnet sich durch eine robuste Bauweise und einen effizienten Betrieb aus und ist daher für Automatisierungssysteme geeignet. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 180 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V bietet er eine verbesserte Effizienz und Zuverlässigkeit in der Schaltungsleistung.
Eigenschaften und Vorteile
• Hohe Strombelastbarkeit verbessert Effizienz und Leistung des Systems
• Niedriger Rds(on) reduziert den Leistungsverlust während des Betriebs
• Oberflächenmontiertes Design ermöglicht einfache Integration in PCBs
• Kann bis zu 250 W abführen und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen
• Breiter Betriebstemperaturbereich gewährleistet Funktionalität in unterschiedlichen Umgebungen - N-Kanal-Konfiguration bietet verbesserte Schalteigenschaften
Anwendungsbereich
• Einsatz in Motorsteuerung und Antriebssystemen
• Geeignet für das Energiemanagement in der industriellen Automatisierung
• Eingesetzt in DC-DC-Wandlern und Wechselrichtern
• Wird zum Schalten von Lasten in Stromverteilungssystemen verwendet
• Anwendbar in Systemen für erneuerbare Energien, wie z. B. Solarwechselrichtern
Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom für dieses Gerät?
Der Baustein kann einen kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 180 A verarbeiten und eignet sich daher für Hochleistungsanwendungen.
Kann es bei hohen Temperaturen eingesetzt werden?
Ja, er hat eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C, was eine konstante Leistung unter schwierigen Bedingungen ermöglicht.
Was sind die Spezifikationen für die Gate-Schwellenspannung?
Die maximale Gate-Schwellenspannung liegt bei 4 V, die minimale bei 2 V, was eine flexible Kompatibilität im Betrieb ermöglicht.
Welche Art der Befestigung unterstützt diese Komponente?
Dieses Produkt ist für die Oberflächenmontage konzipiert und ermöglicht eine einfache Installation auf verschiedenen Leiterplatten.
Wie trägt dieser MOSFET zur Leistungseffizienz bei?
Der niedrige Rds(on)-Wert von 1,1 mΩ verringert die Verlustleistung erheblich und steigert so die Effizienz elektronischer Systeme insgesamt.
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