Anmelden / Registrieren um Ihre Vorteile zu nutzen
Kürzlich gesucht

    Infineon OptiMOS™ 3 IPB011N04NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7

    2524 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
    Stück
    Nicht als Expresslieferung erhältlich

    Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)

    1,578 €

    (ohne MwSt.)

    1,878 €

    (inkl. MwSt.)

    Stück
    Pro Stück
    Pro Rolle*
    1000 +1,578 €1.578,00 €

    *Bitte VPE beachten

    RS Best.-Nr.:
    145-9552
    Herst. Teile-Nr.:
    IPB011N04NGATMA1
    Marke:
    Infineon

    RoHS Status: Ausgenommen

    Ursprungsland:
    CN
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.180 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    GehäusegrößeD2PAK-7
    SerieOptiMOS™ 3
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl7
    Drain-Source-Widerstand max.1,1 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Verlustleistung max.250 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Breite9.45mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge10.31mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs188 nC @ 10 V
    Höhe4.57mm
    Diodendurchschlagsspannung1.2V
    Betriebstemperatur min.–55 °C

    Verwandte Produkte