Infineon OptiMOS™ 3 IPB025N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

RS Best.-Nr.:: 754-5421
Herst. Teile-Nr.:: IPB025N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPB025N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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Herst. Teile-Nr.:: IPB025N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

MOSFET N-ch OptiMOS3 100V 180A TO263-7
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	D2PAK-7
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	4,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	155 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.31mm
Breite	9.45mm
Höhe	4.57mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon OptiMOS™ 3 IPB025N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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