Infineon OptiMOS™ 3 IPB019N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 180 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 220-7375
Herst. Teile-Nr.:: IPB019N08N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPB019N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 180 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 220-7375
Herst. Teile-Nr.:: IPB019N08N3GATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet - IPB019N08N3GATMA1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	180 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,0019 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon OptiMOS™ 3 IPB019N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 180 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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